Le module IGBT FD150R12RT4 intègre une diode de thyristor haute performance au sein d'un boîtier optimisé pour le refroidissement par air. Conçu pour répondre aux exigences rigoureuses de la gestion de l'énergie électrique, ce composant garantit une commutation rapide et une conductivité thermique supérieure lors des phases de forte charge.
Ce tableau regroupe les paramètres essentiels pour l'intégration de ce composant électronique dans vos armoires électriques :
| Paramètre Technologique | Valeur Nominale |
|---|---|
| Tension Collecteur-Émetteur (Vces) | 1200 V |
| Courant Collecteur Continu (Ic) | 150 A |
| Configuration Interne | IGBT avec Diode Thyristor |
| Méthode de Dissipation | Refroidissement par Air |
Grâce à son architecture avancée, l'intégration de la technologie diode de thyristor permet de stabiliser les variations de tension. Le système refroidi par air dissipe efficacement la chaleur accumulée, ce qui prévient la dégradation prématurée des puces de silicium. L'utilisateur bénéficie d'une continuité de service optimale, réduisant drastiquement les interruptions de production dans les usines de transformation d'énergie.
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